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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

產(chǎn)品圖片

規(guī)格型號(hào)

品牌

參數(shù)描述

起訂量

庫存

購買數(shù)量

單價(jià)

操作

TDA21490

產(chǎn)品說明：OptiMOSTM 集成功率級(jí)器件，具有出色的效率和熱性能 39-PowerVFQFN

封裝：QFN-39
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IRF3205ZPBF

產(chǎn)品說明：采用 TO-220 封裝的 55V 單 N 溝道功率 MOSFET

封裝：TO-220-3
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
TDA21590

產(chǎn)品說明：降壓 開關(guān)穩(wěn)壓器 IC 正 1 輸出 39-PowerVFQFN

封裝：QFN-39
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IPP083N10N5

產(chǎn)品說明：OptiMOS? 5 功率 MOSFET 100 V，采用 TO-220 封裝

封裝：TO-220-3
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IRFB3006PBF

產(chǎn)品說明：采用 TO-220AB 封裝的 60V 單 N 溝道 IR MOSFET?

封裝：TO-220AB
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
1EDC20I12MH

產(chǎn)品說明：柵極驅(qū)動(dòng)器 磁耦合 2500Vrms 1 通道 PG-DSO-8-59

封裝：DSO-8
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IRFB3607PBF

產(chǎn)品說明：采用 TO-220 封裝的 75V 單 N 溝道 StrongIRFET? 功率 MOSFET

封裝：TO-220-3
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
1EDC20I12AH

產(chǎn)品說明：柵極驅(qū)動(dòng)器 磁耦合 2500Vrms 1 通道 PG-DSO-8-59

封裝：DSO-8
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IPP023N08N5

產(chǎn)品說明：用于電信應(yīng)用的 OptiMOS? 5 功率 MOSFET 80V

封裝：TO-220-3
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
FF600R12IP4B60

產(chǎn)品說明：IGBT 模塊 溝槽型場(chǎng)截止 半橋逆變器 1200 V 600 A 底座安裝

封裝：Module
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
FF1000R17IE4PB60

產(chǎn)品說明：IGBT 模塊 2 個(gè)獨(dú)立式 1700 V 1390 A 6250 W 底座安裝

封裝：模塊
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
1EDC60I12AH

產(chǎn)品說明：柵極驅(qū)動(dòng)器 磁耦合 2500Vrms 1 通道 PG-DSO-8-59

封裝：DSO-8
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
FF900R17ME7WB11

產(chǎn)品說明：IGBT 模塊 溝槽型場(chǎng)截止 2 個(gè)獨(dú)立式 1700 V 900 A 20 mW 底座安裝 AG-ECONOD

封裝：Module
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IPB70N10S312

產(chǎn)品說明：表面貼裝型 N 通道 100 V 70A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3-2

封裝：TO-263
10起
50000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IRLB3036PBF

產(chǎn)品說明：采用 TO-220 封裝的 60V 單 N 溝道 StrongIRFET? 功率 MOSFET

封裝：TO-220-3
10起
10000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IPD50N10S3L16

產(chǎn)品說明：表面貼裝型 N 通道 100 V 50A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3-11

封裝：TO-252
10起
50000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
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