商品名稱:STM32F407ZGT6
數(shù)據(jù)手冊:STM32F407ZGT6.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:144-LQFP
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:5000 件
1MB FLASH 集成電路芯片 STM32F407ZGT6 32位單核微控制器
STM32F407ZGT6的產(chǎn)品介紹
STM32F407ZGT6 32位ARM? Cortex?-M MCU基于Arm Cortex-M處理器,旨在為MCU用戶提供新的自由度。這些MCU提供了一個32位產(chǎn)品系列,結合了非常高的性能、實時功能、數(shù)字信號處理和低功耗、低電壓運行。
STM32器件種類繁多,基于工業(yè)標準的內(nèi)核,并有大量的工具和軟件可供選擇,這使得該系列產(chǎn)品成為小型項目和整個平臺決策的理想選擇。
STM32F407ZGT6的規(guī)格
核心處理器:ARM? Cortex?-M4
速度:168MHz
連接性:CANbus, DCMI, EBI/EMI, Ethernet, I2C, IrDA, LINbus, SPI, UART/USART, USB OTG
I/O數(shù)量:114
程序存儲器類型:FLASH
RAM大小:192K x 8
數(shù)據(jù)轉換器:A/D 24x12b; D/A 2x12b
工作溫度:-40°C ~ 85°C (TA)
STM32F407ZGT6的特點
內(nèi)核。Arm? 32位Cortex?-M4 CPU,帶FPU,自適應實時加速器(ART加速器),允許從閃存中執(zhí)行0等待狀態(tài),頻率高達168 MHz,內(nèi)存保護單元,210 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)和DSP指令。
高達1M字節(jié)的閃存
高達192+4KB的SRAM,包括64K字節(jié)的CCM(核心耦合存儲器)數(shù)據(jù)RAM
512字節(jié)的OTP存儲器
靈活的靜態(tài)存儲器控制器,支持緊湊型閃存、SRAM、PSRAM、NOR和NAND存儲器
1.8 V至3.6 V應用電源和I/O
POR、PDR、PVD和BOR
4-26 MHz晶體振蕩器
內(nèi)部16MHz工廠調(diào)整的RC(1%精度)
用于RTC的32 kHz振蕩器,帶校準功能
內(nèi)部32kHz RC,帶校準
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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意法半導體(ST)集團于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導體有限公司。意法半導體是世界最大的半導體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%;營業(yè)…
STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG是一款650 V、30 A車規(guī)級溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,其采用先進的專有溝槽柵場截止結構開發(fā)。該器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆變器系統(tǒng)性能與效率之間的理想平衡,其中低損耗和短路功能至關重要。此外,它的VCE(sat)正溫度系數(shù)特性和緊密的參數(shù)分布…STGWA60V60DF
STGWA60V60DF是一種使用先進專有溝槽柵場截止結構的IGBT器件,屬于V系列IGBT的一部分?。該器件旨在實現(xiàn)傳導損耗和開關損耗之間的最佳折衷,以提高非常高頻轉換器的效率。其最大結溫為175C,具有無尾關斷特性,飽和壓降VCE(sat)在60A時為1.85V(典型值),并且參數(shù)分布緊…STGWA60H65DFB
STGWA60H65DFB是一種650 V、60 A的高速溝槽柵場截止IGBT器件,其采用先進的專有溝柵場運算結構開發(fā),旨在實現(xiàn)傳導和開關損耗之間的最佳折衷,以提高任何變頻器的效率。其技術規(guī)格和典型應用如下:技術規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電流…STGWA40M120DF3
STGWA40M120DF3是一款1200 V、40 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,具有低損耗和短路功能,特別適用于需要高性能和高效率的逆變系統(tǒng)。其正的溫度系數(shù)VCE(sat)和嚴格的參數(shù)分布確保了并行操作的安全性?。STGWA40M120DF3具有以下技術規(guī)格:IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集…STGW8M120DF3
STGW8M120DF3器件是一款1200 V、8 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,因其低損耗和短路功能,STGW8M120DF3 IGBT特別適合需要高性能和高效率的逆變器系統(tǒng)?。其技術規(guī)格和應用場景如下:技術規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (I…STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速溝槽柵場截止HB系列IGBT。該產(chǎn)品采用先進的專有溝槽柵場截止結構,旨在優(yōu)化導通和開關損耗的平衡,從而提高任何頻率轉換器的效率?。其技術規(guī)格和典型應用如下:技術規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電…電話咨詢:86-755-83294757
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