商品名稱:STM32F407ZET6
數(shù)據(jù)手冊:STM32F407ZET6.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:144-LQFP
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:5000 件
32位微控制器IC STM32F407ZET6 ARM Cortex-M4 MCU 512KB Flash LQFP144封裝
STM32F407ZET6的產(chǎn)品介紹
STM32F407ZET6基于高性能Arm? Cortex?-M4 32位RISC內(nèi)核,工作頻率高達(dá)168 MHz。Cortex-M4內(nèi)核具有單精度浮點單元(FPU),支持所有Arm單精度數(shù)據(jù)處理指令和數(shù)據(jù)類型。它還實現(xiàn)了一整套DSP指令和內(nèi)存保護(hù)單元(MPU),增強(qiáng)了應(yīng)用的安全性。
STM32F407ZET6集成了高速嵌入式存儲器(閃存高達(dá)1 Mbyte,SRAM高達(dá)192 KB)、高達(dá)4 KB的備份SRAM,以及連接到兩條APB總線、三條AHB總線和一個32位多AHB總線矩陣的大量增強(qiáng)型I/O和外設(shè)。
STM32F407ZET6的特點
3×12位、2.4 MSPS A/D轉(zhuǎn)換器:在三重交錯模式下高達(dá)24通道和7.2 MSPS
2×12位D/A轉(zhuǎn)換器
通用DMA:帶有FIFO和突發(fā)支持的16流DMA控制器
多達(dá)17個定時器:多達(dá)12個16位和2個32位定時器,頻率高達(dá)168 MHz,每個定時器有多達(dá)4個IC/OC/PWM或脈沖計數(shù)器和正交(增量)編碼器輸入調(diào)試模式
串行線調(diào)試(SWD)和JTAG接口
Cortex-M4嵌入式跟蹤宏單元?。
多達(dá)140個具有中斷能力的I/O端口
多達(dá)136個快速I/O,高達(dá)84 MHz
多達(dá)138個5V耐壓I/Os
多達(dá)15個通信接口
多達(dá)3個I2C接口(SMBus/PMBus)
多達(dá)4個USART/2個UART(10.5 Mbit/s,ISO 7816接口,LIN,IrDA,調(diào)制解調(diào)器控制)。
多達(dá)3個SPI(42Mbit/s),2個帶有復(fù)用的全雙工I2S,通過內(nèi)部音頻PLL或外部時鐘達(dá)到音頻級精度
2個CAN接口(2.0B有效)。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%;營業(yè)…
STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG是一款650 V、30 A車規(guī)級溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,其采用先進(jìn)的專有溝槽柵場截止結(jié)構(gòu)開發(fā)。該器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆變器系統(tǒng)性能與效率之間的理想平衡,其中低損耗和短路功能至關(guān)重要。此外,它的VCE(sat)正溫度系數(shù)特性和緊密的參數(shù)分布…STGWA60V60DF
STGWA60V60DF是一種使用先進(jìn)專有溝槽柵場截止結(jié)構(gòu)的IGBT器件,屬于V系列IGBT的一部分?。該器件旨在實現(xiàn)傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高非常高頻轉(zhuǎn)換器的效率。其最大結(jié)溫為175C,具有無尾關(guān)斷特性,飽和壓降VCE(sat)在60A時為1.85V(典型值),并且參數(shù)分布緊…STGWA60H65DFB
STGWA60H65DFB是一種650 V、60 A的高速溝槽柵場截止IGBT器件,其采用先進(jìn)的專有溝柵場運(yùn)算結(jié)構(gòu)開發(fā),旨在實現(xiàn)傳導(dǎo)和開關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高任何變頻器的效率。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電流…STGWA40M120DF3
STGWA40M120DF3是一款1200 V、40 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,具有低損耗和短路功能,特別適用于需要高性能和高效率的逆變系統(tǒng)。其正的溫度系數(shù)VCE(sat)和嚴(yán)格的參數(shù)分布確保了并行操作的安全性?。STGWA40M120DF3具有以下技術(shù)規(guī)格:IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集…STGW8M120DF3
STGW8M120DF3器件是一款1200 V、8 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,因其低損耗和短路功能,STGW8M120DF3 IGBT特別適合需要高性能和高效率的逆變器系統(tǒng)?。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用場景如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (I…STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速溝槽柵場截止HB系列IGBT。該產(chǎn)品采用先進(jìn)的專有溝槽柵場截止結(jié)構(gòu),旨在優(yōu)化導(dǎo)通和開關(guān)損耗的平衡,從而提高任何頻率轉(zhuǎn)換器的效率?。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電…電話咨詢:86-755-83294757
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