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IPQC60R010S7XTMA1可為低頻開關應用提供最出色的性能。CoolMOS?S7 擁有 HVSJMOSFET 中最低的 RDS（導通）值，顯著提高了能效。CoolMOS?S7 針對 "靜態(tài)開關 "和高電流應用進行了優(yōu)化。它不僅適用于固態(tài)畦式斷路器設計，也適用于 SMPS 和逆變器拓撲結構中的線路整流。

產品屬性

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：600 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：50A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：12V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：10 毫歐 @ 50A，12V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 3.08mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：318 nC @ 12 V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：694W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：PG-HDSOP-22

封裝/外殼：22-PowerBSOP 模塊

應用

● 固態(tài)繼電器和斷路器

● 大功率/高性能應用中的線路整定，如計算機、電信、UPS 和太陽能

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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  答：我們的自營商品均采自合作的國內外原廠或授權代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。

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