商品名稱:IPDD60R105CFD7
數(shù)據(jù)手冊:IPDD60R105CFD7.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PG-HDSOP-10-1
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IPDD60R105CFD7 MOSFET非常適合用于諧振大功率拓撲結構,采用高壓超級結MOSFET技術。這些MOSFET內置快速體二極管,完善了CoolMOS 7系列。典型的大功率SMPS應用包括服務器、電信和電動汽車充電站。
產品屬性
FET 類型:N 通道
技術:MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):600 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):31A(Tc)
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):105 毫歐 @ 7.8A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 390μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):36 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):1504 pF @ 400 V
功率耗散(最大值):198W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應商器件封裝:PG-HDSOP-10-1
封裝/外殼:10-PowerSOP 模塊
應用
● 服務器
● 電信
● EV充電
● SMPS
● PC電源
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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S29GL512S10FAI013是采用65納米工藝技術制造的MIRRORBIT? Eclipse閃存產品。該系列器件提供高達15納秒的快速頁面訪問時間,對應隨機訪問時間低至90納秒。其寫入緩沖器支持單次操作編程256字/512字節(jié),有效編程速度超越標準編程算法。此特性使其成為當今嵌入式應用的理想…S29GL128S11DHBV20
S29GL128S11DHBV20是采用65納米工藝技術制造的MIRRORBIT? Eclipse閃存產品。該系列器件提供高達15納秒的快速頁面訪問時間,對應隨機訪問時間低至90納秒。其寫入緩沖器支持單次操作編程256字/512字節(jié),有效編程速度超越標準編程算法。此特性使其成為當今嵌入式應用的理想…S29GL01GT11TFIV13
S29GL01GT11TFIV13是采用45納米工藝技術制造的MIRRORBIT?閃存產品。該系列器件具備15納秒的快速頁面訪問時間,隨機訪問時間可達100納秒。其寫入緩沖器支持單次操作編程256字/512字節(jié),有效編程速度超越標準編程算法。此特性使其成為當今嵌入式應用的理想選擇,可滿足更高…S29GL01GS11TFV013
S29GL01GS11TFV013是采用65納米工藝技術制造的MIRRORBIT? Eclipse閃存產品。該系列器件提供高達15納秒的快速頁面訪問時間,對應隨機訪問時間低至90納秒。其寫入緩沖器支持單次操作編程256字/512字節(jié),有效編程速度超越標準編程算法。此特性使其成為當今嵌入式應用的理想…電話咨詢:86-755-83294757
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