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商品名稱(chēng):NVBG1000N170M1
品牌:ON
年份:23+
封裝:D2PAK-7
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
NVBG1000N170M1 1700V M1 平面 SiC MOSFET 專(zhuān)為快速開(kāi)關(guān)應(yīng)用而優(yōu)化。平面技術(shù)能可靠地使用負(fù)柵極電壓驅(qū)動(dòng)和關(guān)閉柵極上的尖峰。該系列在 20V 柵極驅(qū)動(dòng)時(shí)具有最佳性能,但在 18V 柵極驅(qū)動(dòng)時(shí)也能很好地工作。
產(chǎn)品屬性
FET 類(lèi)型: N 通道
技術(shù): SiC(碳化硅結(jié)晶體管)
漏源電壓(Vdss): 1700 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id): 4.3A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) :20V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值): 1.43 歐姆 @ 2A,20V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值): 4.3V @ 640μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值): 14 nC @ 20 V
Vgs(最大值): +25V,-15V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值): 150 pF @ 1000 V
功率耗散(最大值): 51W(Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C(TJ)
等級(jí): 汽車(chē)級(jí)
資質(zhì): AEC-Q101
安裝類(lèi)型: 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝: D2PAK-7
封裝/外殼: TO-263-8,D2PAK(7 引線(xiàn) + 凸片),TO-263CA
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶(hù)解決他們?cè)谄?chē)、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
NCV33202VDR2G
NCV33202VDR2G 運(yùn)算放大器的輸入和輸出均可實(shí)現(xiàn)軌至軌操作。輸入可驅(qū)動(dòng)至超出電源軌 200mV 的高電平,而輸出不會(huì)發(fā)生相位反轉(zhuǎn),輸出可在每個(gè)軌 50 mV 范圍內(nèi)擺動(dòng)。這種軌至軌的工作方式使用戶(hù)能夠充分利用可用的電源電壓范圍。它的設(shè)計(jì)工作電壓非常低(+/- 0.9 V),但可…NB6N11SMNG
NB6N11SMNG是差分 1:2 時(shí)鐘或數(shù)據(jù)接收器,可接受 AnyLevelTM 輸入信號(hào): LVPECL、CML、LVCMOS、LVTTL 或 LVDS。AFGH4L25T120RWD
AFGH4L25T120RWD是一款通過(guò)AEC Q101 認(rèn)證的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) ,具有堅(jiān)固且具有成本效益的場(chǎng)停止 VII 溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RWD IGBT在苛刻的開(kāi)關(guān)應(yīng)用中提供卓越的性能,具有低導(dǎo)通狀態(tài)電壓和最小的開(kāi)關(guān)損耗,優(yōu)化了在汽車(chē)應(yīng)用中硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)拓?fù)涞男阅?。技術(shù)…AFGH4L25T120RW
AFGH4L25T120RW是一款單N溝道1200V 25A絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT),它采用堅(jiān)固、高性?xún)r(jià)比的場(chǎng)終止型VII溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RW在要求苛刻的開(kāi)關(guān)應(yīng)用中提供出色的性能。低導(dǎo)通電壓和最小開(kāi)關(guān)損耗在汽車(chē)應(yīng)用中提供最佳的硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)拓?fù)湫阅?。技術(shù)參數(shù)AFGH4L25T120RW的…FGAF40N60SMD
FGAF40N60SMD是一款600 V 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) ,主要應(yīng)用于電力電子設(shè)備中。該IGBT具有以下主要規(guī)格:配置:Single集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V集電極—射極飽和電壓:1.9 V柵極/發(fā)射極最大電壓:- 20 V, 20 V在25 C的連續(xù)集電極電流:80 APd-功率耗散:115 W…FGY4L75T120SWD
FGY4L75T120SWD是一款采用新穎的場(chǎng)終止型第7代IGBT技術(shù)和采用TO-247 4?lead封裝的第7代二極管。該IGBT具有最佳的性能,具有低開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通損耗,可在太陽(yáng)能逆變器、UPS和ESS等各種應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效率運(yùn)行。技術(shù)規(guī)格FGY4L75T120SWD的主要規(guī)格包括:配置:Single集電極—發(fā)射極…電話(huà)咨詢(xún):86-755-83294757
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