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BGA5M1BN6E6328XTSA1 - 用于 LTE 中頻的 18dB 高增益低噪聲放大器

型號：BGA5M1BN6E6328XTSA1

封裝：TSNP-6

類型：低噪聲放大器

詳細描述：射頻放大器IC，用于 LTE 中頻段的 18dB 高增益低噪聲放大器

產品概述

BGA5M1BN6E6328XTSA1 是一款用于 LTE 的前端低噪聲放大器，覆蓋 1805 MHz 至 2200 MHz 的寬頻率范圍。LNA 的增益為 19.3 dB，噪聲系數為 0.65 dB，電流消耗為 9.5mA。在旁路模式下，LNA 的插入損耗為 4.7 dB。

BGA5M1BN6 采用英飛凌科技的 B9HF 硅鍺技術。它的工作電源電壓為 1.5 V 至 3.6 V。該器件采用單線雙態(tài)控制（旁路和高增益模式）。可通過關閉 VCC 電源來啟用關態(tài)。

產品特性

插入功率增益：19.3 dB

旁路模式下的插入損耗 4.7 分貝

噪聲系數低 0.65 分貝

低電流消耗：9.5 毫安

工作頻率 1805 - 2200 MHz

多狀態(tài)控制：旁路和高增益模式

電源電壓：1.5 V 至 3.6 V

超小型 TSNP-6-2 和 TSNP-6-10 無引線封裝（基底面：0.7 x 1.1 mm2）

B9HF 硅鍺技術

內部匹配為 50 歐姆的射頻輸出

外部元件數量少

2kV HBM ESD 保護（包括 AI 引腳）

無鉛（符合 RoHS 規(guī)范）封裝

應用

汽車遠程信息處理控制單元 (TCU)

移動設備和智能手機

有線通信

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