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ISC104N12LM6屬于英飛凌 OptiMOS? 6 功率 MOSFET 系列。這是一款邏輯級 120 V MOSFET，采用 SuperSO8 封裝，導通電阻為 10.4 mOhm。

ISC104N12LM6規(guī)格：

產品種類: MOSFET

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 120 V

Id-連續(xù)漏極電流: 63 A

Rds On-漏源導通電阻: 10.4 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.2 V

Qg-柵極電荷: 10.4 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 94 W

通道模式: Enhancement

商標名: OptiMOS

配置: Single

下降時間: 4 ns

正向跨導 - 最小值: 30 S

產品類型: MOSFET

上升時間: 2.5 ns

子類別: MOSFETs

典型關閉延遲時間: 14 ns

典型接通延遲時間: 6 ns

特點

N 通道、對數(shù)電平

極低的開電阻 RDS(on)

卓越的柵極充電 x RDS（導通）產品（FOM）

極低的反向恢復電荷（Qrr）

高雪崩能級

175°C 工作溫度

優(yōu)化用于高頻開關和同步校正

無鉛鍍層；符合 RoHS 標準

根據(jù) J-STD-020 被歸為MSL1 級

潛在應用

電動工具和園藝工具

適配器和快速充電器

太陽能

電信 

輕型電動汽車 

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