商品名稱:STM32H743BIT6
數據手冊:STM32H743BIT6.pdf
品牌:ST
年份:21+
封裝:LQFP208
貨期:全新原裝
庫存數量:360 件
STM32H7高性能MCU基于高性能Arm? Cortex?-M7 32位RISC內核,工作頻率高達400MHz。Cortex-M7內核具有浮點單元 (FPU) 精度,支持Arm雙精度(符合IEEE 754標準)和單精度數據處理指令與數據類型。STM32H7 MCU支持全套DSP指令和存儲器保護單元 (MPU),可增強應用的安全性。
該MCU采用高速嵌入式存儲器,具有高達2MB的雙區(qū)閃存、1 MB的RAM(包括192 KB的TCM RAM、864KB的用戶SRAM以及4KB的備份SRAM)。另外,該器件還具有各種連接到APB總線、AHB總線、2x32位多AHB總線矩陣的增強型I/O和外設,以及支持內部和外部存儲器訪問的多層AXI互連。
該器件設有三個ADC、兩個DAC、兩個超低功耗比較器、一個低功耗RTC、一個高分辨率定時器、12個通用16位定時器、兩個用于電機控制的PWM定時器、五個低功耗定時器和一個真隨機數發(fā)生器 (RNG)。該器件支持四個用于外部Σ-Δ調制器 (DFSDM) 的數字濾波器,并設有標準和高級通信接口。
產品屬性
產品種類: ARM微控制器 - MCU
系列: STM32H7
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: LQFP-208
核心: ARM Cortex M7
程序存儲器大小: 2 MB
數據總線寬度: 32 bit
ADC分辨率: 3 x 16 bit
最大時鐘頻率: 400 MHz
輸入/輸出端數量: 168 I/O
數據 RAM 大小: 1 MB
電源電壓-最小: 1.62 V
電源電壓-最大: 3.6 V
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
DAC分辨率: 12 bit
數據 Ram 類型: RAM
I/O 電壓: 1.62 V to 3.6 V
接口類型: CAN, I2C, SAI, SDIO, SPI, USART, USB
ADC通道數量: 20 Channel
程序存儲器類型: Flash
工廠包裝數量: 360
型號
品牌
封裝
數量
描述
INFINEON
BGA
3000
TriCore? TC17xx 微控制器 IC 32 位單核 240MHz 4MB(4M x 8) 閃存 PG-LFBGA-292-6
Microchip
VQFN-20
6000
AVR tinyAVR? 1, Functional Safety (FuSa) 微控制器 IC 8 位 20MHz 8KB(8K x 8) 閃存 20-VQFN(3x3)
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意法半導體(ST)集團于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導體有限公司。意法半導體是世界最大的半導體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%;營業(yè)…
STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG是一款650 V、30 A車規(guī)級溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,其采用先進的專有溝槽柵場截止結構開發(fā)。該器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆變器系統(tǒng)性能與效率之間的理想平衡,其中低損耗和短路功能至關重要。此外,它的VCE(sat)正溫度系數特性和緊密的參數分布…STGWA60V60DF
STGWA60V60DF是一種使用先進專有溝槽柵場截止結構的IGBT器件,屬于V系列IGBT的一部分?。該器件旨在實現傳導損耗和開關損耗之間的最佳折衷,以提高非常高頻轉換器的效率。其最大結溫為175C,具有無尾關斷特性,飽和壓降VCE(sat)在60A時為1.85V(典型值),并且參數分布緊…STGWA60H65DFB
STGWA60H65DFB是一種650 V、60 A的高速溝槽柵場截止IGBT器件,其采用先進的專有溝柵場運算結構開發(fā),旨在實現傳導和開關損耗之間的最佳折衷,以提高任何變頻器的效率。其技術規(guī)格和典型應用如下:技術規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電流…STGWA40M120DF3
STGWA40M120DF3是一款1200 V、40 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,具有低損耗和短路功能,特別適用于需要高性能和高效率的逆變系統(tǒng)。其正的溫度系數VCE(sat)和嚴格的參數分布確保了并行操作的安全性?。STGWA40M120DF3具有以下技術規(guī)格:IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集…STGW8M120DF3
STGW8M120DF3器件是一款1200 V、8 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,因其低損耗和短路功能,STGW8M120DF3 IGBT特別適合需要高性能和高效率的逆變器系統(tǒng)?。其技術規(guī)格和應用場景如下:技術規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (I…STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速溝槽柵場截止HB系列IGBT。該產品采用先進的專有溝槽柵場截止結構,旨在優(yōu)化導通和開關損耗的平衡,從而提高任何頻率轉換器的效率?。其技術規(guī)格和典型應用如下:技術規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電…電話咨詢:86-755-83294757
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