商品名稱:IMW65R048M1HXKSA1
數(shù)據(jù)手冊(cè):IMW65R048M1HXKSA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:5000 件
IMW65R048M1HXKSA1是照明和工業(yè)SMPS應(yīng)用的理想選擇,它融合了一流的性能和最先進(jìn)的易用性。
IMW65R048M1HXKSA1的產(chǎn)品屬性
FET類型: N-溝道
技術(shù): SiCFET (碳化硅)
漏極至源極電壓(Vdss): 650 V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°C: 39A (Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大Rds On,最小Rds On): 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20.1A, 18V
Vgs(th)(最大值)@ Id: 5.7V @ 6mA
柵極電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 33 nC @ 18 V
Vgs(最大): +23V, -5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1118 pF @ 400 V
功率耗散(最大): 125W (Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: 通孔
供應(yīng)商器件封裝: PG-TO247-3-41
封裝/外殼:TO-247-3
IMW65R048M1HXKSA1的特點(diǎn)
在較高的電流下具有優(yōu)化的開關(guān)行為
具有低Qmr的換向穩(wěn)健的快速體二極管
卓越的柵極氧化可靠性
集成電路芯片N通道650V 39A IMW65R048M1HXKSA1單晶體管
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級(jí)N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。電話咨詢:86-755-83294757
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