商品名稱:FPGA - 現(xiàn)場可編程門陣列
品牌:Microchip
年份:24+
封裝:BGA-484
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
MPF050T-1FCVG484I:PolarFire 中端 FPGA - 現(xiàn)場可編程門陣列 IC,BGA-484
MPF050T-1FCVG484I——產品規(guī)格:
邏輯元件數(shù)量: 48000 LE
嵌入式內存: 0 bit
輸入/輸出端數(shù)量: 176 I/O
電源電壓-最小: 970 mV/1.02 V
電源電壓-最大: 1.03 V/1.08 V
最小工作溫度: - 40 ℃
最大工作溫度: + 100 ℃
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: BGA-484
最大工作頻率: 500 MHz
工作電源電壓: 1 V, 1.05 V
MPF050T-1FCVG484I——產品特性:
面向100K/500K LE器件的架構和過程優(yōu)化
收發(fā)器性能優(yōu)化為12.7Gbps,可減小尺寸
1.6Gbps I/O—帶CDR的硬化I/O變速邏輯(支持這些GPIO上的SGMII/GbE鏈路)
優(yōu)于同類的高性能,中檔設備中的硬化安全IP
靜態(tài)功耗為同類競爭設備的1/10
收發(fā)器性能優(yōu)化為12.7Gbps,功耗是同類競爭設備的1/2
低功耗閃存凍結模式可實現(xiàn)優(yōu)于同類的待機功耗
集成硬IP:DDR PHY、PCIe端點/根端口、加密處理器
總功耗:降低達50%
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Xilinx
CSBGA-324
3000
Spartan?-6 LX XA 現(xiàn)場可編程門陣列 (FPGA) IC 218 2138112 43661 324-LFBGA,CSPBGA
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Microchip Technology Incorporated(納斯達克股市代號:MCHP)美國微芯半導體是全球領先的單片機和模擬半導體供應商,為全球數(shù)以千計的消費類產品提供低風險的產品開發(fā)、更低的系統(tǒng)總成本和更快的產品上市時間。Microchip公司自成立以來,就密切關注嵌入控制半導體產品市…
VSC7425XJG-02
VSC7425XJG-02是業(yè)界首款完全集成的 18 端口千兆以太網 (GE) 交換機,在單個封裝中集成了 12 個銅纜 PHY。與 4 端口 PHY VSC8514 配合使用,只需兩個集成電路即可設計出 18 端口交換機。VSC7425 采用全新 65 納米 SimpliPHY 技術,是業(yè)界最具成本效益、功耗最低的器件之一…VSC7552TSN-V/5CC
VSC7552TSN-V/5CC SparX-5i-128 是一款 128 Gbps 工業(yè)以太網交換機,支持 1G、2.5G、5G、10G 和 25G 以太網端口組合。該器件提供豐富的工業(yè)以太網交換功能,包括完整的 TSN 功能集、L2 交換、L3 路由、無縫冗余和高精度定時。它采用多級多功能內容感知處理器(VCAP)技術…VSC7427XJG-02
VSC7427XJG-02是業(yè)界首款完全集成的 26 端口千兆以太網 (GE) 交換機,在單個封裝中集成了 12 個銅纜 PHY。與 12 端口 PHY VSC8512 配合使用,只需兩個集成電路即可設計出 26 端口交換機。VSC7427 采用新型 65 納米 SimpliPHY 技術,是業(yè)內最具成本效益、功耗最低的器件之…APT80GA90LD40
APT80GA90LD40是一款高速穿透式開關模式 IGBT器件。通過領先的技術硅設計和壽命控制流程,實現(xiàn)低 Eoff。減少 Eoff - VCE(ON) 的權衡,使其與其他 IGBT 技術相比,具有更優(yōu)越的效率。技術規(guī)格APT80GA90LD40的主要規(guī)格包括:IGBT 類型:PT電壓 - 集射極擊穿(最大值):900…APT75GN60LDQ3G
APT75GN60LDQ3G是一款600 V 溝槽型場截止型IGBT,主要應用于功率控制領域。基本參數(shù)IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):155 A電流 - 集電極脈沖 (Icm):225 A不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值):1.85V @ 15V,75A…APT50GN60BDQ2G
APT50GN60BDQ2G是由Microchip推出的一款采用TO-247封裝的絕緣柵雙極晶體管(IGBT),具有FLANGE MOUNT結構,適用于各種工業(yè)應用中的緊湊型設計需求。技術參數(shù)APT50GN60BDQ2G的主要參數(shù)如下:IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V電流 - 集電極 (Ic)(…電話咨詢:86-755-83294757
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