商品名稱:STM32H747ZIY6TR
數(shù)據(jù)手冊:STM32H747ZIY6TR.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:UFBG-156
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
STM32H747ZIY6TR 基于高性能Arm? Cortex?-M7和Cortex?-M4 32位RISC內(nèi)核。Cortex?-M7內(nèi)核工作頻率高達480 MHz,Cortex?-M4內(nèi)核工作頻率高達240 MHz。這兩個內(nèi)核都具有浮點單元(FPU),支持Arm?單精度和雙精度(Cortex?-M7內(nèi)核)操作和轉換(符合IEEE 754標準),包括全套DSP指令和內(nèi)存保護單元(MPU),以提高應用安全性。
STM32H747ZIY6TR 集成了高速嵌入式存儲器,具有高達200萬字節(jié)的雙組閃存、高達100萬字節(jié)的RAM(包括192KB的TCM RAM、高達864KB的用戶SRAM和4KB的備份SRAM),以及連接到APB總線、AHB總線、2x32位多AHB總線矩陣和支持內(nèi)部和外部存儲器訪問的多層AXI互連的大量增強I/O和外設。
特性
核心
具有雙精度FPU和L1高速緩存的32位Arm? Cortex?-M7內(nèi)核:16KB數(shù)據(jù)和16KB指令高速緩存,支持從256位嵌入式閃存單次。
支持從256位嵌入式閃存單次訪問一條高速緩存線;頻率高達400MHz,MPU、856DMIPS/2.14DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)和DSP指令
存儲器
高達2Mbyte閃存,具有同時讀寫能力
1mb的ram:192kb的tcm ram(包括64kb的itcm ram + 128kb的dtcm ram,用于存儲時間敏感的關鍵程序或數(shù)據(jù))、864kb的用戶sram,以及4kb備份域sram
雙模Quad-SPI存儲器接口,運行頻率高達133MHz
具有高達32位數(shù)據(jù)總線的靈活外部存儲器控制器:在同步模式下,SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND閃存的時鐘頻率高達133MHz
CRC計算單元
安全性
ROP、PC-ROP、主動篡改
通用輸入/輸出
多達168個具有中斷能力的i/o端口
運行速率高達133MHz的快速I/O
多達164個5V容差I/O
復位和電源管理
3個獨立的電源域,可以獨立地進行時鐘門控或關閉,以最大限度地提高電源效率。
D1:可實現(xiàn)高帶寬的高性能外設
D2:通信外設和計時器
D3:復位/時鐘控制/電源管理
1.62V至3.6V應用電源和I/O
嵌入3.3V內(nèi)部穩(wěn)壓
嵌入3.3V內(nèi)部穩(wěn)壓器的專用usb電源,可為內(nèi)部phy供電
具有可配置的可擴展輸出的嵌入式穩(wěn)壓器(LDO),為數(shù)字電路供電。
在運行和停止模式下進行電壓調(diào)節(jié)(5個可配置范圍)。
備份穩(wěn)壓器 (~0.9V)
模擬外設的參考電壓/Vref+
低功耗模式:睡眠、停止、待機以及vbat支持電池充電
低功耗
總電流消耗低至4μA
時鐘管理
內(nèi)部振蕩器:64kHz HSI、48MHz HSI48、4MHz CSI、40kHz LSI
外部振蕩器:4MHz - 48MHz HSE、32.768kHz LSE
3個帶分數(shù)模式的PELL(1個用于系統(tǒng)時鐘,2個用于內(nèi)核時鐘)。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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意法半導體(ST)集團于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導體有限公司。意法半導體是世界最大的半導體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%;營業(yè)…
STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG是一款650 V、30 A車規(guī)級溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,其采用先進的專有溝槽柵場截止結構開發(fā)。該器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆變器系統(tǒng)性能與效率之間的理想平衡,其中低損耗和短路功能至關重要。此外,它的VCE(sat)正溫度系數(shù)特性和緊密的參數(shù)分布…STGWA60V60DF
STGWA60V60DF是一種使用先進專有溝槽柵場截止結構的IGBT器件,屬于V系列IGBT的一部分?。該器件旨在實現(xiàn)傳導損耗和開關損耗之間的最佳折衷,以提高非常高頻轉換器的效率。其最大結溫為175C,具有無尾關斷特性,飽和壓降VCE(sat)在60A時為1.85V(典型值),并且參數(shù)分布緊…STGWA60H65DFB
STGWA60H65DFB是一種650 V、60 A的高速溝槽柵場截止IGBT器件,其采用先進的專有溝柵場運算結構開發(fā),旨在實現(xiàn)傳導和開關損耗之間的最佳折衷,以提高任何變頻器的效率。其技術規(guī)格和典型應用如下:技術規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電流…STGWA40M120DF3
STGWA40M120DF3是一款1200 V、40 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,具有低損耗和短路功能,特別適用于需要高性能和高效率的逆變系統(tǒng)。其正的溫度系數(shù)VCE(sat)和嚴格的參數(shù)分布確保了并行操作的安全性?。STGWA40M120DF3具有以下技術規(guī)格:IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集…STGW8M120DF3
STGW8M120DF3器件是一款1200 V、8 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,因其低損耗和短路功能,STGW8M120DF3 IGBT特別適合需要高性能和高效率的逆變器系統(tǒng)?。其技術規(guī)格和應用場景如下:技術規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (I…STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速溝槽柵場截止HB系列IGBT。該產(chǎn)品采用先進的專有溝槽柵場截止結構,旨在優(yōu)化導通和開關損耗的平衡,從而提高任何頻率轉換器的效率?。其技術規(guī)格和典型應用如下:技術規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電…電話咨詢:86-755-83294757
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