NVMFS2D3P04M8L 器件是一款由(onsemi)生產(chǎn)的功率MOSFET ,屬于P溝道類型,采用 DFN5 封裝,具有-40 V的漏源電壓和-222 A的連續(xù)漏極電流??。該器件的導(dǎo)通電阻為2.2mΩ,工作溫度范圍為-55℃至+175℃,適用于汽車電子。
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FET 類型:P 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):40 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):31A(Ta),222A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):2.2 毫歐 @ 30A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 2.7mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):157 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):5985 pF @ 20 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):3.8W(Ta),205W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等級:汽車級
資質(zhì):AEC-Q101
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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