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服務(wù)電話(huà):86-755-83294757
商品名稱(chēng):N-通道功率MOSFET
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:PG-TO263-3
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:5000 件
IPB048N15N5LF(N-通道功率MOSFET):150V,OptiMOS ?5 線(xiàn)性 FET 晶體管,PG-TO263-3
產(chǎn)品詳情:
型號(hào):IPB048N15N5LF
封裝:PG-TO263-3
類(lèi)型:N-通道功率MOSFET
說(shuō)明:OptiMOS ?線(xiàn)性 FET 是一種革命性的方法,可以避免導(dǎo)通電阻 (R DS(on)) 和線(xiàn)性模式能力之間的權(quán)衡——在增強(qiáng)模式 MOSFET 的飽和區(qū)內(nèi)運(yùn)行。它提供了溝槽 MOSFET 的最先進(jìn)的 R DS(on) 以及經(jīng)典平面 MOSFET 的寬安全工作區(qū)。
IPB048N15N5LF 產(chǎn)品屬性:
系列:OptiMOS? 5
FET 類(lèi)型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):150 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):120A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):4.8 毫歐 @ 100A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):4.9V @ 255μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):84 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):380 pF @ 75 V
功率耗散(最大值):313W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類(lèi)型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:PG-TO263-3
封裝/外殼:TO-263-3,D2PAK(2 引線(xiàn) + 凸片),TO-263AB
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱(chēng)為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線(xiàn)、總線(xiàn)仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿(mǎn)足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IPB133N12NM6
【IPB133N12NM6】120V,OptiMOS ? 6 功率 MOSFET 晶體管,正常電平,采用 DPAK 3 引腳封裝。說(shuō)明:IPB133N12NM6 是 DPAK 3 針?lè)庋b的正常級(jí)別 120 V MOSFET,導(dǎo)通電阻為 13.3 mOhm。IPB133N12NM6 是英飛凌 OptiMOS ? 6 功率 MOSFET 系列的一部分。IPB133N12NM6 規(guī)格參數(shù)…IPB120N06S4-03
IPB120N06S4-03:60V、OptiMOS? -T2 汽車(chē) MOSFET 晶體管,PG-TO263-3IPB120N06S4-03 規(guī)格參數(shù):產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET 技術(shù): Si 安裝風(fēng)格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: D2PAK-3 (TO-263-3) 晶體管極性: N-Channel 通道數(shù)量: 1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V Id-連續(xù)漏極電流: 1…IMCQ120R078M2H
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IMCQ120R007M2H CoolSiC? MOSFET 離散型 1200 V,7 mΩ G2,采用頂部散熱 Q-DPAK 封裝,專(zhuān)為工業(yè)應(yīng)用的廣泛使用而設(shè)計(jì)。Q-DPAK封裝解決方案為客戶(hù)提供卓越的熱性能、更簡(jiǎn)便的裝配流程及降低系統(tǒng)成本。頂部散熱Q-DPAK單開(kāi)關(guān)器件正引領(lǐng)冷卻技術(shù)、能效、設(shè)計(jì)靈活性及性能的…IMCQ120R017M2H
IMCQ120R017M2H CoolSiC? MOSFET 離散型 1200 V,17 mΩ G2,采用頂部散熱 Q-DPAK 封裝,專(zhuān)為工業(yè)應(yīng)用的廣泛使用而設(shè)計(jì)。Q-DPAK封裝解決方案為客戶(hù)提供卓越的熱性能、更簡(jiǎn)便的裝配流程及降低系統(tǒng)成本。頂部散熱Q-DPAK單開(kāi)關(guān)器件正引領(lǐng)冷卻技術(shù)、能效、設(shè)計(jì)靈活性及性能的…電話(huà)咨詢(xún):86-755-83294757
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