商品名稱:STPMIC1DPQR
數(shù)據(jù)手冊(cè):STPMIC1DPQR.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:WFQFN44
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
STPMIC1DPQR 電源管理IC是一寬全集成式PMIC,設(shè)計(jì)用于基于高集成應(yīng)用處理器設(shè)計(jì),需要低功耗、高效率的產(chǎn)品。STPMIC1 PMIC集成先進(jìn)的低功耗特性,由主機(jī)處理器通過I2C和IO接口控制。該P(yáng)MCI集成了四個(gè)同步降壓轉(zhuǎn)換器,經(jīng)過優(yōu)化實(shí)現(xiàn)超高效率。為了改進(jìn)瞬態(tài)響應(yīng),該轉(zhuǎn)換器采用自適應(yīng)恒定導(dǎo)通時(shí)間 (COT) 控制器,其標(biāo)稱開關(guān)頻率為2MHz。該器件還包含低壓差 (LDO) 穩(wěn)壓器,為應(yīng)用處理器以及系統(tǒng)外設(shè)(如DDR內(nèi)存、閃存和其他系統(tǒng)設(shè)備)供電。
STPMIC1DPQR 的升壓轉(zhuǎn)換器最多可驅(qū)動(dòng)3個(gè)USB端口(兩個(gè)500mA主機(jī)USB和一個(gè)100mA USB OTG)。STPMIC1的先進(jìn)旁路架構(gòu)能平滑調(diào)節(jié)電池以及消費(fèi)類5V交流-直流適配器的USB端口的VBUS。
STPMIC1DPQR 電源管理IC采用WFQFN-44L封裝,環(huán)境工作溫度范圍為-40°C至+105°C。
特性
輸入電壓范圍:2.8V至5.5V
4個(gè)可調(diào)通用LDO
1個(gè)LDO,用于DDR3終端(灌電流-拉電流),旁路模式用于低功耗DDR或用作通用LDO
1個(gè)LDO,用于USB PHY供電,具有自動(dòng)電源檢測(cè)功能
1個(gè)參考電壓LDO,用于DDR存儲(chǔ)器
4個(gè)可調(diào)自適應(yīng)恒定導(dǎo)通時(shí)間 (COT) 降壓SMPS轉(zhuǎn)換器
5.2V/1.1A升壓SMPS,帶旁路模式,用于5V輸入或電池輸入
1個(gè)500mA電源開關(guān),符合USB OTG標(biāo)準(zhǔn)
1個(gè)500mA/1000mA通用電源開關(guān)
用戶可編程非易失性存儲(chǔ)器 (NVM),可擴(kuò)展性好,支持各種應(yīng)用
I2C和數(shù)字I/O控制接口
環(huán)境工作溫度范圍:-40°C至+105°C
封裝類型:WFQFN-44L
封裝尺寸:5.0mm x 6.0mm x 0.8mm
應(yīng)用
STM32MP1微控制器的電源管理單元配套芯片
嵌入式微處理器的電源管理
可穿戴設(shè)備及物聯(lián)網(wǎng)
便攜式設(shè)備
人機(jī)界面 (HMI)
智能家居
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%;營業(yè)…
STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG是一款650 V、30 A車規(guī)級(jí)溝槽柵場(chǎng)截止低損耗M系列IGBT,其采用先進(jìn)的專有溝槽柵場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)開發(fā)。該器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆變器系統(tǒng)性能與效率之間的理想平衡,其中低損耗和短路功能至關(guān)重要。此外,它的VCE(sat)正溫度系數(shù)特性和緊密的參數(shù)分布…STGWA60V60DF
STGWA60V60DF是一種使用先進(jìn)專有溝槽柵場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)的IGBT器件,屬于V系列IGBT的一部分?。該器件旨在實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高非常高頻轉(zhuǎn)換器的效率。其最大結(jié)溫為175C,具有無尾關(guān)斷特性,飽和壓降VCE(sat)在60A時(shí)為1.85V(典型值),并且參數(shù)分布緊…STGWA60H65DFB
STGWA60H65DFB是一種650 V、60 A的高速溝槽柵場(chǎng)截止IGBT器件,其采用先進(jìn)的專有溝柵場(chǎng)運(yùn)算結(jié)構(gòu)開發(fā),旨在實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)和開關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高任何變頻器的效率。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電流…STGWA40M120DF3
STGWA40M120DF3是一款1200 V、40 A溝槽柵場(chǎng)截止低損耗M系列IGBT,具有低損耗和短路功能,特別適用于需要高性能和高效率的逆變系統(tǒng)。其正的溫度系數(shù)VCE(sat)和嚴(yán)格的參數(shù)分布確保了并行操作的安全性?。STGWA40M120DF3具有以下技術(shù)規(guī)格:IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集…STGW8M120DF3
STGW8M120DF3器件是一款1200 V、8 A溝槽柵場(chǎng)截止低損耗M系列IGBT,因其低損耗和短路功能,STGW8M120DF3 IGBT特別適合需要高性能和高效率的逆變器系統(tǒng)?。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用場(chǎng)景如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (I…STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速溝槽柵場(chǎng)截止HB系列IGBT。該產(chǎn)品采用先進(jìn)的專有溝槽柵場(chǎng)截止結(jié)構(gòu),旨在優(yōu)化導(dǎo)通和開關(guān)損耗的平衡,從而提高任何頻率轉(zhuǎn)換器的效率?。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電…電話咨詢:86-755-83294757
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