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2025年7月28日，全球存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)者鎧俠宣布，其采用第九代 BiCS FLASH? 3D 閃存技術(shù)的 512Gb TLC存儲(chǔ)器已開(kāi)始送樣（1）。該產(chǎn)品計(jì)劃于 2025 年投入量產(chǎn)，旨在為中低容量存儲(chǔ)市場(chǎng)提供兼具卓越性能與能效的解決方案。此外，這款產(chǎn)品也將集成到鎧俠的企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)中，特別是需要提升 AI 系統(tǒng) GPU 性能的應(yīng)用。

為應(yīng)對(duì)尖端應(yīng)用市場(chǎng)的多樣化需求，同時(shí)提供兼具投資效益與競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品，鎧俠將繼續(xù)推行“雙軌并行”策略，即：

第九代 BiCS FLASH? 產(chǎn)品： 采用 CBA（CMOS directly Bonded to Array，外圍電路直接鍵合到存儲(chǔ)陣列）技術(shù)（2），將現(xiàn)有的存儲(chǔ)單元技術(shù)（3）與最新的 CMOS 技術(shù)相結(jié)合，在降低生產(chǎn)成本的同時(shí)實(shí)現(xiàn)卓越性能。

 第十代 BiCS FLASH? 產(chǎn)品：通過(guò)增加存儲(chǔ)單元的堆疊層數(shù)，滿足未來(lái)市場(chǎng)對(duì)更大容量、更高性能解決方案的需求。

全新的第九代 BiCS FLASH? 512Gb TLC 基于第五代 BiCS FLASH? 技術(shù)的 120 層堆疊工藝與先進(jìn)的 CMOS 技術(shù)開(kāi)發(fā)而成。與鎧俠現(xiàn)有的相同容量（512Gb）的 BiCS FLASH? 產(chǎn)品（4）相比，其性能實(shí)現(xiàn)了顯著提升，包括：

寫(xiě)入性能：提升 61%

讀取性能：提升 12%

能效：寫(xiě)入操作能效提升 36%，讀取操作能效提升 27%

數(shù)據(jù)傳輸速度：支持 Toggle DDR6.0 接口，可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 3.6Gb/s 的 NAND 接口傳輸速率

位密度：通過(guò)先進(jìn)的橫向縮放技術(shù)提升 8% 位密度

此外，鎧俠確認(rèn)，在演示條件下，該 512Gb TLC 的 NAND 接口速度可達(dá) 4.8Gb/s。其產(chǎn)品線將根據(jù)市場(chǎng)需求確定。

鎧俠始終致力于深化全球合作伙伴關(guān)系，并持續(xù)推動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新，為客戶提供滿足其多樣化需求的最佳存儲(chǔ)解決方案。

（1）這些樣品僅用于功能檢測(cè)，樣品規(guī)格可能因量產(chǎn)部件而異。

（2）CBA（CMOS directly Bonded to Array，外圍電路直接鍵合到存儲(chǔ)陣列）技術(shù)是指CMOS晶圓和單元儲(chǔ)存陣列晶圓都在更優(yōu)的條件下單獨(dú)制造然后鍵合在一起的技術(shù)。

（3）112 層堆疊的第五代 BiCS FLASH? 技術(shù)和 218 層堆疊的第八代 BiCS FLASH? 技術(shù)。新的第九代 BiCS FLASH? 產(chǎn)品將根據(jù)型號(hào)分別整合這兩種技術(shù)之一。

（4）第六代 BiCS FLASH?，將沿用此款 512Gb TLC 產(chǎn)品。

（5）1Gbps按1,000,000,000 bits/s計(jì)算。該數(shù)值是在鎧俠株式會(huì)社的特定測(cè)試環(huán)境中獲得，可能會(huì)因用戶環(huán)境的不同而改變。