商品名稱:N-通道功率MOSFET
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-TO-247
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:12000 件
IPW65R080CFD是一款由英飛凌(Infineon)生產(chǎn)的高性能 N 通道 MOSFET 芯片,屬于 CoolMOS? 系列。該芯片采用先進(jìn)的工藝制造,專為高頻開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì),具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC 轉(zhuǎn)換器等場(chǎng)景。
技術(shù)參數(shù)
型號(hào):IPW65R080CFD
制造商:Infineon
類型:N-通道 MOSFET
封裝:TO-247-3
最大漏源電壓 VDS:650 V
最大柵極源極電壓 VGS:±20 V
最大連續(xù)漏電流 ID:43.3 A
導(dǎo)通電阻 RDS(on):80 mΩ(典型值,在 VGS=10V 時(shí))
總功耗:391 W
工作溫度范圍: -55°C 至 +150°C
開關(guān)頻率:高達(dá) 1 MHz
閾值電壓 Vgs(th):4V@1.8mA
柵極電荷量 Qg:167nC@10V
輸入電容 Ciss :5.03nF@100V
IPW65R080CFD 產(chǎn)品特性
極低的導(dǎo)通電阻 RDS(on):有助于減少導(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)效率。
快速開關(guān)性能:能夠支持高頻應(yīng)用,同時(shí)保持較低的開關(guān)損耗。
高擊穿電壓(650V):使其非常適合高壓環(huán)境下的使用。
優(yōu)秀的熱穩(wěn)定性和可靠性:能夠在寬溫度范圍內(nèi)正常運(yùn)行。
內(nèi)置反向二極管:簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì)并增強(qiáng)了功能集成度。
符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn):環(huán)保且適用于現(xiàn)代電子產(chǎn)品的生產(chǎn)需求。
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
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S25FL128SDSMFBG13 是一款 128Mbit NOR 閃存。該設(shè)備通過(guò) SPI 接口連接至主機(jī)系統(tǒng)。支持傳統(tǒng)的 SPI 單比特串行輸入/輸出(SingleI/O 或 SIO),以及可選的雙比特(Dual I/O 或 DIO)和四比特(Quad I/O 或 QIO)串行命令。S25FL128SDSMFBG13 規(guī)格內(nèi)存類型:非易失性內(nèi)存格…電話咨詢:86-755-83294757
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